Quang học tinh thể Sapphire có độ bền cao

Phạm vi truyền

0,17 đến 5,5 micrômét

Chỉ số khúc xạ

1,75449 (o) 1,74663 (e) ở 1,06 micron

Mất phản xạ

ở 1,06 micron (2 bề mặt) đối với tia o - 11,7%;đối với e-ray - 14,2%

Chỉ số hấp thụ

0,3 x 10-3 cm-1 ở 2,4 micron

dN / dT

13,7 x 10-6 ở 5,4 micron

dn / dm = 0

1,5 micrômét

Tỉ trọng

3,97 g / cm³

Độ nóng chảy

2040 độ C

Dẫn nhiệt

27,21 W / (mx K) ở 300 K

Sự giãn nở nhiệt

5,6 x 10 ^-6 / K (trục C song song) & 5,0 (trục C vuông góc) x 10 ^-6 / K

Độ cứng

Knoop 2000 kg / mm ² với 2000g thụt lề

Nhiệt dung riêng

419 J / (kg x K)

Hằng số điện môi

11,5 (trục C song song) 9,4 (trục C vuông góc) ở 1MHz

Mô-đun của Young (E)

335 GPa

Mô đun cắt (G)

148.1 GPa

Mô-đun số lượng lớn (K)

240 GPa

Hệ số đàn hồi

C₁₁= 496 C₁₂= 164 C₁₃= 115
C₃₃= 498 C₄₄= 148

Giới hạn đàn hồi rõ ràng

275 MPa (40.000 psi)

Tỷ lệ Poisson

0,25

Sự định hướng

Mặt phẳng R, mặt phẳng C, mặt phẳng A, mặt phẳng M hoặc một hướng cụ thể

Định hướng dung sai

± 0,3 °

Đường kính

2 inch, 3 inch, 4 inch, 6 inch, 8 inch hoặc các loại khác

Dung sai đường kính

0,1mm cho 2 inch, 0,2mm cho 3 inch, 0,3mm cho 4 inch, 0,5mm cho 6 inch

Độ dày

0,25mm, 0,33mm, 0,43mm, 0,65mm, 1mm hoặc những loại khác;

Dung sai độ dày

25μm

Chiều dài phẳng chính

16,0 ± 1,0mm cho 2 inch, 22,0 ± 1,0mm cho 3 inch, 30,0 ± 1,5mm cho 4 inch, 47,5 / 50,0 ± 2,0mm cho 6 inch

Định hướng phẳng chính

Mặt phẳng A (1 1-2 0) ± 0,2 °;Mặt phẳng C (0 0-0 1) ± 0,2 °, Trục C chiếu 45 +/- 2 °

TTV

≤10µm cho 2 inch, ≤15µm cho 3 inch, ≤20µm cho 4 inch, ≤25µm cho 6 inch

CÂY CUNG

≤10µm cho 2 inch, ≤15µm cho 3 inch, ≤20µm cho 4 inch, ≤25µm cho 6 inch

Mặt trước

Epi-Polished (Ra <0,3nm cho mặt phẳng C, 0,5nm cho các hướng khác)

Mặt sau

Mặt đất mịn (Ra = 0,6μm ~ 1,4μm) hoặc đánh bóng Epi

Bao bì

Được đóng gói trong môi trường phòng sạch loại 100