Wafer áp điện

• 3 "4" 6 "8" Wafer áp điện cho đầu dò kỹ thuật số SAW
• Wafer tinh thể áp điện làm sạch bán dẫn trong phòng sạch Class 1000
• LiNbO3 đen và LiTaO3 giảm áp điện Wafer cho các thiết bị SAW tần số cao hơn
• Tấm lót pha lê áp điện 0,35mm 0,5mm cho các ứng dụng bán dẫn và MEMS

LiNbO3 Wafer

• Định hướng vòng Wafer áp điện Lithium Niobate Cắt Z hoặc cắt 36Y
• 8 inch LiNbO3 wafer 128 độ cắt Y và cắt Z cho các thiết bị sóng âm bề mặt
• Ứng dụng SAW IDT cắt miễn phí bằng chất điện quang đen LiNbO3 8 inch 128Y
• Kích thước tùy chỉnh Lithium Niobate áp điện Wafer định hướng Z-Cut 36Y-Cut

LiTaO3 Wafer

• 0,35mm 3 inch 42 ° Y Lithium Tantalate Wafer cho cảm biến áp điện
• Công nghiệp sóng âm 4 inch đánh bóng một mặt LiTaO3 36Y 42Y
• 6 inch một mặt phẳng LiTaO3 đánh bóng cho cảm biến quang học phi tuyến tính hồng ngoại thụ động (IR)
• LiTaO3 Lithium Tantalate Wafer Đen 6 inch Phân cực cho các ứng dụng SAW / BAW

Wafer thạch anh đơn pha lê

• Đĩa tròn tinh thể thạch anh cắt AT SC IEEE Xoay một hoặc đôi Tiêu chuẩn cho TCXO
• ST Cut đơn pha lê thạch anh Wafer với hiệu ứng áp điện để ổn định tần số
• Vòng thạch anh pha lê cắt X-cut Y-cut Tiêu chuẩn IEEE Đôi mặt được gắn cho cảm biến áp suất
• Tiêu chuẩn IRE thạch anh đơn tinh thể không hạt trong Cắt X, Cắt Y, Cắt Z

Silica Wafer hợp nhất

• SiO2 thạch anh nung chảy và silica Wafer nung chảy trong phổ hồng ngoại và tia cực tím
• Bánh thủy tinh thạch anh hợp nhất làm ổn định cơ học màng chắn Si
• Tổng hợp Silica Wafer 4 inch 6 inch 8 inch Corning 7980 SK1300 JGS1
• Lớp IR nung chảy Silica Wafer JGS3 C7979 và SK1310 với hàm lượng OH rất thấp

Lithium Niobate Wafer

• Ứng dụng SAW IDT cắt miễn phí bằng nhiệt điện đen 0,5mm LiNbO3 8 inch 128Y
• Cắt góc Lithium Niobate Wafer cho các thiết bị SAW và ống dẫn sóng quang học
• Tinh thể Lithium Niobate tráng vàng để sử dụng điều chế quang học và Q-Switching
• Định hướng hình dạng vòng tròn áp điện Lithium Niobate Wafer Z-cut 36Y-cut

Lithium Tantalate Wafer

• 3 '' 0,5mm SSP LiTaO3 Wafer với tính chất áp điện và nhiệt điện
• Đen 4 inch 0,35mm Lithium Tantalate Wafer phân cực cho các ứng dụng SAW / BAW
• Fe Doped Lithium Tantalate Wafer để lưu trữ thông tin ba chiều mật độ cao
• 4 "LT Wafer 36 °, 39 °, 42 ° X-CUT được sử dụng cho các thiết bị sóng âm bề mặt

Sapphire Wafer

• C-plane 0001 Sapphire Wafer Al2O3 Chất nền cho đèn LED cửa sổ hồng ngoại và tia laser xanh
• R-plane 1102 C-plane 0001 Sapphire Wafer cho các ứng dụng bước sóng IR và UV
• 5 inch Dia 125mm Chất nền Sapphire 9,0 Độ cứng cao 99,999 ％ Chất liệu Al2O3
• Lớp nền tinh thể Sapphire Al2O3 2 '' 3 '' 4 '' được đánh bóng hai mặt để sử dụng quang học

Quang học hồng ngoại

• Cửa sổ hồng ngoại canxi florua Wafer cho một loạt các ứng dụng tia hồng ngoại và tia UV
• Quang hồng ngoại Bari Fluoride dự phòng cho các ứng dụng khoa học quang học
• Magnesium Fluoride MgF2 Hồng ngoại Quang học Ống kính cửa sổ để sử dụng từ tia cực tím đến tia hồng ngoại
• Quang học hồng ngoại LiF cho lăng kính và ống kính Windows trong phạm vi nhìn thấy được và hồng ngoại

Silicon Wafer

• Phi 2 '' đến 8 '' Oxit nhiệt Silicon Wafer loại N-Loại P với một lớp oxit cách điện
• 12 inch bán dẫn silicon wafer Prime thử nghiệm tấm giả
• Wafer silicon bán dẫn Prime Lớp 3 inch đến 12 inch
• 2 '' đến 8 '' Silicon Wafer đánh bóng trong Prime, Thử nghiệm, Màn hình, Tiêu chuẩn SEMI

Langasite Wafers

• Nhiệt độ cao Sử dụng bánh xốp Langasite cho các ứng dụng áp điện SAW BAW
• Nhiệt độ cao Sử dụng bánh xốp Langasite cho các ứng dụng áp điện SAW BAW
• Thiết bị Sóng âm bề mặt 50mm Langasite Crystal Wafers (SAW) và Bulk Acoustic Wave (BAW)
• Bánh Wafer đánh bóng hai mặt Langasite 60mm Góc Euler 0 ° 138,5 ° 26,7 °

LYSO Scintillation Crystal

• Tinh thể Scintillation LYSO được pha tạp chất xeri với hiệu suất phát quang cao
• Tinh thể Scintillation LYSO (Ce) có mật độ ánh sáng cao với thời gian phân hủy ngắn
• Tinh thể Scintillation LYSO được pha tạp chất xeri với hiệu suất phát quang cao
• Tinh thể Scintillation LYSO pha tạp chất xeri đơn phòng cho các ứng dụng phát hiện tia