 |
Hai mặt đánh bóng hiệu suất cao Sapphire Al2O3 Crystal Substrate Ultrathin 2" 3" 4"
Thông tin chi tiết sản phẩm:
| Nguồn gốc: | Trung Quốc |
| Hàng hiệu: | CSIMC |
| Chứng nhận: | ISO:9001 |
| Số mô hình: | Sapphire (Al2O3) |
Thanh toán:
| Số lượng đặt hàng tối thiểu: | 5 miếng |
|---|---|
| Giá bán: | negotiable |
| chi tiết đóng gói: | Gói Cassette, Hũ, Phim |
| Thời gian giao hàng: | 1-4 tuần |
| Điều khoản thanh toán: | T / T |
| Khả năng cung cấp: | 10000 miếng / tháng |
|
Thông tin chi tiết |
|||
| Vật liệu: | Thạch anh (Al2O3) | Loại: | đơn tinh thể |
|---|---|---|---|
| Điểm nóng chảy: | 2040°C | Chiều kính: | 2" 3" 4" |
| Bề mặt: | đánh bóng hai mặt | Độ cứng: | 9,0 |
| Ứng dụng: | Tấm wafer bán dẫn, chip Led, cửa sổ kính quang học, gốm sứ điện tử | NGÀNH CÔNG NGHIỆP: | Led，Kính quang học，Walker eli-ready |
| Làm nổi bật: | Tấm wafer Sapphire Al2O3,wafer Sapphire hai mặt,wafer tinh thể sapphire quang học |
||
Mô tả sản phẩm
Hai mặt đánh bóng hiệu suất cao Sapphire Al2O3 Crystal Substrate Ultrathin 2" 3" 4"
Các tấm wafer sapphire là biểu tượng của công nghệ bán dẫn hiện đại, nổi tiếng với độ cứng đặc biệt, độ ổn định hóa học và độ minh bạch quang học.Những miếng bánh này được chế tạo chính xác từ tinh thể sapphire chất lượng cao, làm cho chúng trở thành sự lựa chọn lý tưởng cho một loạt các ứng dụng đòi hỏi.
Với sức mạnh cơ học vượt trội của chúng, các tấm vải sapphire mang lại độ bền vượt trội, có khả năng chịu được điều kiện khắc nghiệt mà không ảnh hưởng đến hiệu suất.Điều này làm cho chúng lý tưởng để sử dụng trong điện tử công suất cao, pin mặt trời, và các thiết bị quang điện tử nơi độ bền và sự ổn định là quan trọng nhất.
Hơn nữa, các tấm vải sapphire có tính dẫn nhiệt tuyệt vời, tiêu hao nhiệt hiệu quả để duy trì hiệu suất nhất quán ngay cả dưới tải trọng nặng.Điều này đảm bảo các thiết bị bền lâu hơn và giảm nguy cơ tổn thương nhiệt.
Tóm lại, các tấm wafer sapphire cung cấp sự pha trộn hoàn hảo về độ bền, ổn định và độ minh bạch quang học, làm cho chúng trở thành sự lựa chọn ưa thích cho các thiết bị điện tử thế hệ tiếp theo.Nâng cấp các thiết bị của bạn với vải sapphire và tận hưởng hiệu suất và độ tin cậy vượt trội.
Các đặc tính quang học
| Phạm vi truyền | 0.17 đến 5,5 micron |
| Chỉ số khúc xạ | 1.75449 (o) 1.74663 (e) ở 1,06 micron |
| Mất khả năng phản chiếu | ở 1,06 micron (2 bề mặt) cho tia o - 11,7%; cho tia e - 14,2% |
| Chỉ số hấp thụ | 0.3 x 10-3 cm-1 ở 2,4 micron |
| DN/dT | 13.7 x 10-6 ở 5,4 micron |
| dn/dm = 0 | 1.5 micron |
Các đặc tính vật lý
| Mật độ | 3.97 g/cm3 |
| Điểm nóng chảy | 2040 độ C |
| Khả năng dẫn nhiệt | 27.21 W/ ((m x K) ở 300 K |
| Sự giãn nở nhiệt | 5.6 x 10-6/K (đường ngang C-axis) & 5.0 (đường thẳng đứng C-axis) x 10-6/K |
| Độ cứng | Knoop 2000 kg/mm2với 2000g nhét |
| Khả năng nhiệt cụ thể | 419 J/ ((kg x K) |
| Hằng số dielectric | 11.5 (đường C song song) 9.4 (đường C thẳng đứng) ở 1MHz |
| Young's Modulus (E) | 335 GPa |
| Modulus cắt (G) | 148.1 GPa |
| Mô-đun khối (K) | 240 GPa |
| Các hệ số đàn hồi | C11= 496 C12=164 C13=115 C33= 498 C44=148 |
| Rõ ràng giới hạn đàn hồi | 275 MPa (40,000 psi) |
| Tỷ lệ cá | 0.25 |
Kiểm tra chấp nhận
1Sản phẩm rất mong manh. Chúng tôi đã đóng gói đầy đủ và gắn nhãn mong manh. Chúng tôi giao hàng thông qua các công ty nhanh hàng nội địa và quốc tế xuất sắc để đảm bảo chất lượng vận chuyển.
2Sau khi nhận hàng hóa, vui lòng xử lý cẩn thận và kiểm tra xem hộp bên ngoài có trong tình trạng tốt không.Hãy chụp ảnh trước khi đưa chúng ra..
3Vui lòng mở gói chân không trong một phòng sạch khi các sản phẩm được áp dụng.
4. Nếu sản phẩm bị hư hại trong quá trình vận chuyển, vui lòng chụp ảnh hoặc ghi lại video ngay lập tức. KHÔNG lấy sản phẩm bị hư hại ra khỏi hộp đóng gói!Liên hệ với chúng tôi ngay lập tức và chúng tôi sẽ giải quyết vấn đề tốt.